博鱼麦格米特11月15日在投资者接待日活动中表示，公司为加深在新能源汽车及储能热管理领域的多样化产品布局，以及为加大公司对整车、系统、零部件全方位的理解与整合供应能力，增加了对应雪汽车的投资占比。未来公司将持续围绕电力电子技术进行上下游产业链投资，兼顾内生发展与外延拓张，不断完善平台建设，通过“并购+孵化”不断拓展业务领域。

博鱼5月18日-20日，由四川省电子学会主办，四川省电子学会青年人才工作委员会承办的第七届电子技术国际会议(ICET 2024)在成都举行。本届大会聚焦嵌入式系统、人工智能与应用、电子应用、物联网等领域，为参会学术科学家、研究人员、学生和技术工程师提供一个线上线下广泛深入的交流平台。此次大会为期四天，除4场主旨报告外，还设有34场特邀报告，25场次平行分会，3场海报展示等学术交流活动，聚焦信号处理、电子材料和设备、通信和网络、电力和电气工程、人工智能和应用、电子系统与电气工程、航空航天与电子系统等主题，探讨电子技术和产业发展的前沿趋势。（中国日报四川记者站 黄志凌）

博鱼6月29日上午，在第八届集微半导体大会上，中国电子技术标准化研究院杨旭东院长作了主题演讲，阐述了集成电路行业“无时不在”和“无处不在”的特点和意义，当前形势下如何更好推动行业发展，并介绍了行业标准化工作，引起参会者积极反响。爱集微整理了讲话实录，经同意发布，供业界参考。各位同事、各位业界朋友：前段时间，我换了工作，不再专注于芯片行业。带着对芯片行业残存的记忆，更重要的是，带着对行业没有削减的感情，还是想找个合适的场合，把我认为要紧的事情再和大家说一说，希望有所启发。今天我想讲的主题是，芯片近乎道。芯片不是“道”，芯片本为“器”，是名“器件”。但在所有的“器”，即一般理解的“器物”中，芯片是最接近“道”的“器”。由此而论，芯片近乎道。为了把这个道理说清楚，我们需要回溯一下“道”、“器”之辩，这一对“对概念”命题的内涵。本源性的一般意义上理解，“形而上者为道，形而下者为器”。这里的“道”是形而上精神层面的，有时候也叫做“一”、“大一”、“常”、“理”，大概指向现代汉语所表达的“本源”、“意义”、“价值”、“规律”等哲学范畴，类似于维特根斯坦所说的“不可言说之物”，用老子的话便是“道可道，非常道”。对比语义边界模糊的“道”，“器”就相对好理解和把握了，大致指的就是形而下物质层面的有形之“物”。古人说“格物致知”，“格”的便是有形之器物，格物的目的便是获取、把握无形之“道”。从“形而上、形而下”的本源出发，中国传统上对“道”和“器”便有了很多引申的阐发，比如“君子不器”、“大道不器”、“器以载道”、“据器而道存，离器而道毁”等等。好了，就此打住，毕竟这里不是开务虚会，我们还是回到芯片的主题上来。上面对“道”和“器”这对命题的一点阐释，还是为了说明“芯片近乎道”。借用本体论的方法，我认为，“道体”所必备的两个本质特征，芯片也有所表现。或者更准确的说，作为器物的芯片，比起其他任何器物，更大程度上表现出“道体”才具备的两个本质特征。其一，“须臾不可离，可离非道”。这是在时间结构上说的。“道体”无始无终，无时不在。“道体”的“我在”，体现于全过程参与，既不能摆脱，也无法摆脱。在信息化、数字化基础上，当前已经拉开序幕的智能化时代，芯片也逐渐呈现出“须臾不可离”的特质。前段时间我到访一家芯片制造企业，他们播放的一段宣传片表现得就很典型。宣传片按时间顺序描述了一位普通上班族的一天生活

博鱼半导体人每月必看！本文共2419字，预估阅读时间6分钟6月宏观经济1、全球制造业延续温和复苏，波动仍存6月，全球经济延续温和复苏态势，不稳定因素仍存。具体看，除美国、日本及韩国外，中国以及德国、法国为代表的欧盟在荣枯平衡线之下，恢复态势仍不稳定。6月全球主要经济体制造业PMI资料来源：国家统计局2、电子信息制造业持续改善，增势明显2024年1-5月，中国电子信息制造业生产稳步增长，出口稳定恢复，效益逐月改善，投资增速加快，行业整体增势明显。2024年最新电子信息制造业运行情况资料来源：工信部3、半导体销售增长势头良好，高于预期根据SIA最新数据，全球半导体市场销售额为464亿美元，同比增长15.8%，环比增长1.1%，市场增长势头良好。从各区域市场看，美洲地区销售额同比增长32.4%，中国大陆地区同比增长23.4%，持续引领全球半导体市场回升。WSTS最新预测显示，2024 年全球年销售额达6112亿美元，同比增速由之前13.1%调整至16.0%，显示当前全球半导体市场回升高于预期。2024年最新全球半导体行业销售额及增速资料来源：SIA、SEMI、芯八哥整理从集成电路产量看，5月全球集成电路产量约1082亿块，同比增长2.9%；中国产量约354.5亿块，同比增长17.3%。国内外产量存在一定波动，增长态势延续。2024年最新全球及中国集成电路产量及增速资料来源：工信部、CSIA、SIA、芯八哥整理进出口方面，5月中国集成电路进出口同比持续增长，出口增长尤为强劲，显示国产芯片替代趋势良好。2024年最新中国集成电路进出口金额及增速资料来源：工信部、CCD、芯八哥整理从资本市场指数来看，6月费城半导体指数（SOX）上涨6.21%，中国半导体（SW）行业指数小幅回升0.6%。半导体市场增长预期持续乐观。6月费城及申万半导体指数走势资料来源：Wind6月芯片交期趋势1、整体芯片交期趋势6月，全球芯片交期进一步缩减，车规级芯片和功率器件改善尤为明显。6月芯片交期趋势资料来源：SFG、芯八哥整理2、重点芯片供应商交期一览从6月各供应商看，模拟芯片、传感器交期和价格趋稳，但模拟产品价格现象倒挂仍明显；分立器件交期进一步减少，价格波动下降；汽车MCU交期持续下降，价格趋稳，消费类MCU价格有小幅波动；存储和高端被动件价格持续回升。资料来源：富昌电子、Wind、芯八哥整理   

博鱼半导体人每月必看！本文共1816字，预估阅读时间6分钟1月宏观经济1、全球制造业维持低位，回升态势明显1月，全球经济指数维持低位，包括中国、欧盟、德国及英国等主要经济体仍处于警戒线之下，整体呈现弱势复苏态势。1月全球主要经济体制造业PMI资料来源：国家统计局2、电子信息制造业有所改善，弱势波动2023年1-11月，中国电子信息制造业生产加快回升，出口降幅持续收窄，效益加快恢复，投资略有下滑，多区域营收有所提升。2023年最新电子信息制造业运行情况资料来源：工信部3、半导体销售走出低谷，指数两极分化根据SIA数据预测，2023年全球半导体销售额约5200亿美元，同比下降9.4%。值得关注的是，截至2023年12月全球半导体销售额已连续第十个月实现环比增长，芯片需求呈现出明显的回升势头，预计全球半导体市场在2024年将强劲反弹。2023年最新全球半导体行业销售额及增速资料来源：SIA、芯八哥整理从集成电路产量看，12月全球集成电路产量约1062亿块，同比增长8.7%；中国产量达361.5亿块，同比增长34%，产量持续回升趋势明显。2023年最新全球及中国集成电路产量及增速资料来源：工信部、SIA、芯八哥整理进出口方面，12月中国集成电路进出口金额持续改善，终端需求呈现回暖迹象。从全年看，2023年中国集成电路进口3494亿美元，同比下降15.4%，国产替代加速。2023年最新中国集成电路进出口金额及增速资料来源：工信部、SIA、芯八哥整理从资本市场指数来看，1月费城半导体指数（SOX）下跌7.9%，中国半导体（SW）行业指数下跌14.6%。显示当前国内外投资者对市场预期不同。1月费城及申万半导体指数走势资料来源：Wind1月芯片交期趋势1、整体芯片交期趋势1月，全球芯片交期持续改善，但行业库存仍有调整，部分细分品类交期波动明显。1月芯片交期趋势资料来源：SFG、芯八哥整理2、重点芯片供应商交期一览从1月各供应商看，PMIC等模拟芯片、部分MCU等价格持续倒挂，MOSFET、IGBT等功率器件交期持续改善，地震影响下村田部分电容交期和价格波动明显，存储价格持续回升。资料来源：富昌电子、Wind、芯八哥整理1月订单及库存情况从企业订单需求看，整体市场需求复苏缓慢，厂商订单相对疲软，库存波动明显。注：高＞较高＞一般/稳定＞较低＞低＞无资料来源：芯八哥整理1月博鱼半导体供应

博鱼电子元器件的等效电路对电路分析非常有用，可以帮助理解该元器件在电路中的工作原理，可以深入了解该元器件的相关特性。 贴片电容器等效电路 下图所示是贴片电容器的等效电路。从等效电路可以看出，电容器除电容外还有寄生电感L和寄生电阻R，尽管L值和R值都很小，但是在工作频率很高时电感会起作用，电感L与电容C构成一个LC串联谐振电路。 有引脚电容器等效电路下图所示是有引脚电容器的等效电路。它与贴片电容器相比，其等效电路中多了引脚分布电感，它也有高频串联谐振的特性 有极性电解电容等效电路下图所示是有极性电解电容器的等效电路，这是没有考虑引脚分布参数时的等效电路。等效电路中，C1位电容，R1为两电极之间的漏电阻，VD1为具有单向导通特性的氧化膜。 大容量电解电容器等效电路电解电容器是一种低频电容器，即它主要工作在频率较低的电路中，不宜工作在频率较高的电路中，因为电解电容器的高频特性不好，容量很大的电解电容器其高频特新更差。下图所示是大容量电解电容器等效电路，从图中可以找到大容量电解电容器高频特性差的原因。从等效电路中可以看出，串连一只等效电感L0，当电解电容的容量越大时，等效电感L0也越大，高频特性越差。 普通晶闸管等效电路下图所示是普通晶闸管结构示意图和等效电路。从等效电路中可以看出，普通晶闸管相当于两只三极管进行一定方式的连接后的电路。 双向晶闸管等效电路下图所示是双向晶闸管结构示意图和等效电路。从等效电路中可以看出，双向晶闸管相当于两只普通晶闸管反向并联。 四极晶闸管等效电路下图所示是四极晶闸管结构示意图和等效电路。 逆导晶闸管的等效电路下图所示是逆导晶闸管的等效电路。从等效电路中可以看出，逆导晶闸管相当于在普通晶闸管上反向并联一只二极管。 BTG晶闸管等效电路下图所示是BTG晶闸管结构示意图和等效电路。 光控晶闸管等效电路下图所示是光控晶闸管结构示意图和等效电路。 电阻器的等效电路下图所示为电阻器的等效电路。等效电路中，R为标称电阻器，L为分布电感，C为分布电容。由于分布电感L和分布电容C均很小，所以当电阻器的工作频率不是很高时，它们的影响都可以不考虑。在工作频率很高的电路中，应该使用高频电阻器，它们的分布电感L和分布电容C比普通电阻器的更小。 压敏电阻器等效电路下图所示是压敏电阻器等效电路。等效电路中，Rn是晶界电阻，C是晶界电容，Rb是晶粒电阻。下图是压敏电阻器伏-