博鱼财联社资讯获悉，行业媒体报道，6月18日，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构封顶。该基地是武汉新城诞生的第一个项目，主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。

一、汽车、工业、能源三大市场快速推动SiC功率器件市场增长

碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。

经过近30年研究和开发，碳化硅衬底和功率器件制造技术在近年逐步成熟，并快速推广应用，正在掀起一场节能减排和新能源领域的巨大变革。根据Yole数据，汽车、工业、能源三大市场正快速推动SiC功率器件市场增长，其中汽车市场规模最大，2022年占总市场70%，2028年提升至74%，新能源汽车领域碳化硅已成为800V电压平台下功率器件的首要选择，正逐步替代传统硅基IGBT。

碳化硅功率器件第二大应用市场为光伏领域。在光伏发电应用中，硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右，是系统能量损耗的主要来源。使用碳化硅材料，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍。据CASA预测，到2025年，光伏逆变器中导电型碳化硅功率器件占比将达50%，较2020年增长40%，碳化硅功率器件在光伏领域将持续放量。

二、机构预估2028年全球SiC功率器件市场有望达到91.7亿美金

TrendForce集邦咨询最新《2024全球SiCPowerDevice市场分析报告》显示，尽管纯电动汽车（BEV）销量增速的明显放缓已经开始影响到SiC供应链，但作为未来电力电子技术的重要发展方向，SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球SiC Power Device市场规模有望达到91.7亿美金。

三、相关上市公司：时代电气、新洁能、江丰电子

时代电气在功率半导体领域，公司建有6英寸双极器件、 8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。

新洁能已开发完成 1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列产品，新开发650V SiC MOSFET工艺平台，用于新能源汽车 OBC、光伏储能、工业及自动化等行业，相关产品已通过客户验证。

江丰电子控股子公司宁波江丰同芯半导体材料有限公司生产的第三代半导体核心材料覆铜陶瓷基板现已实现量产。碳化硅外延片产品已经在客户端认证。